Single IGBT ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������dual switch (~ ⅓ of our����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������� ED-Type)

Record current density ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������1.2kV, 2x250A����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������� on 45x45x4m����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������m3

–Very low in����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������ductance <10nH&����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������nbsp;à significan����� �������Ƴ����������� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������t lower over-v����� �������Ƴ������������ �������Ƴ����������� �������Ƴ����������� �������Ƴ������oltage

–Lowest contact resist����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ance <0.9mΩ， ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������;Optimal use of low&nb����� �������Ƴ����������� �������Ƴ������sp;VCEsat ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������;IGBT

–Low Rth&n����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������bsp;and excellent ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������cycling capability than����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ks to rugged SiN&nb����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������sp;Substrate

–Integrated Thermi����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������stor