Products

Home > Products Guide > Fast recovery ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ����������� �������Ƴ�������diodes

Fast recovery dio����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������des

Fast recovery diod����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������es

Diodes can be subdivide����� �������Ƴ������������ �������Ƴ����������� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������d into two main cl����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������asses: Rectifier diod����� �������Ƴ����������� �������Ƴ�������es (standard recov����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ����������� �������Ƴ�������ery) and fast diode����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������s. Rectifier diodes a����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������re generally used fo����� �������Ƴ����������� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������r conversion of AC (alt����� �������Ƴ����������� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ernating current) to D����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������C (direct current).����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������� While optim����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ized for low conduct����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ion losses, Rectif����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ier diodes withstand onl����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������y moderate dynamic s����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������tress in transi����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������tion from con����� �������Ƴ����������� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ducting to the ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������blocking state.


Fast diodes, on ����� �������Ƴ����������� �������Ƴ�������the other hand, are com����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������panion devices to swi����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������tches in DC to AC conv����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ����������� �������Ƴ������ersion. Every s����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������witch (GTO, IGCT or����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������� IGBT) requires a co����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������mplementary diode����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������� (e.g. for "fr����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ee-wheeling" react����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ive power) in ord����� �������Ƴ������������ �������Ƴ����������� �������Ƴ�������er to enable ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������operation of the D����� �������Ƴ����������� �������Ƴ������C-AC conversion syste����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������m with inductive loa����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ds.

Fast diodes are optimize����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������d to accept high ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������dynamic stress ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������(fast transition from����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������� conducting to blo����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������cking state). However,����� �������Ƴ����������� �������Ƴ������������ �������Ƴ������� they generally have����� �������Ƴ����������� �������Ƴ������� higher cond����� �������Ƴ������������ �������Ƴ����������� �������Ƴ�������uction losses than ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������rectifier di����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������odes. For every swit����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ch family (GTO, I����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������GCT and IGBT), we offe����� �������Ƴ����������� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������r fast diodes ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������that are optimized for ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������the switch application.

For downloading����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������ and printing����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������ of data sheets in����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������� pdf format, cl����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ick on the part number����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������s. 


  

GTO free-wheelin����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������g 
Part number
VRRM (V)IFAVM (A)IFSM (kA)Qrr (µC) VDC (V)Package* (mm)
5SDF 06D2504 250061510.0400 -58.5/34
5SDF 06T2504&nbs����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������p;250061510.0400 -58.5/34
5SDF 12F2505 2500125619.0700 -75/47
5SDF 12T2505 2500125619.0700 -74.5/47
5SDF 04D4504&nb����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������sp;45003616.0400 -58.5/34
5SDF 04T4504&nbs����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������p;45003616.0400 -58.5/34
5SDF 08F4505&n����� �������Ƴ������������ �������Ƴ����������� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������bsp;450076715.0700 -75/47
5SDF 08T4505 450076715.0700 -74.5/47
5SDF 13H45014500120025.0 -280094/63
5SDF 10H60046000110018.0 -380094/63

 *Note: ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������maximum diameter / po����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������le-piece diamete����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������r
 

Snubber
Part number
VRRM (V)IFAVM (A)IFSM (kA)VDC (V)Package* (mm)
5SDF 05D250125004908.5110060/34
5SDF 03D450145003205.0240060/34
5SDF 07H4501450090016.0240094/63
5SDF 02D600260002503.6300060/34

*Note: maximum diame����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ter / pole-piece diame����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������ter

 

IGBT diodes
Part number
VRRM (V) ����� �������Ƴ������������ �������Ƴ����������� �������Ƴ����������� �������Ƴ�������IFAVM (A)IFSM (kA)&nb����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������sp;Qrr(µC)  Package* (mm)
5SDF 20L4521 4500 1950 38 5300120/85
5SDF 28L4521 4500 2620 48 10100120/85

*Note: maximum d����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������iameter / pole-p����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������iece diamete����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������r
 

Diodes for IG����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������CT Applications
Part number
VRRM (V)IFAVM (A)IFSM (kA)VDC (V)Package* (mm)Plecs model&nb����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������sp;
5SDF 03D450245002755.0280060/34
5SDF 05F4502450043516.0280075/47
5SDF 10H45034500110020.0280094/63
5SDF 20L452045001950382800120/85 XML
5SDF 28L452045002620482800120/85 XML
5SDF 02D600455001753.0330060/34
5SDF 04F6004550038010.0330075/47
5SDF 08H6005550058518.0330094/63


*Note: maximu����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ�������m diameter /����� �������Ƴ������������ �������Ƴ������������ �������Ƴ������� pole-piece diam����� �������Ƴ������������ �������Ƴ�������eter